当社販売の、ウエハーについて

①SiC/SiC について:

SiC/SiCエピタキシャルとは、炭化ケイ素(SiC)の基板上に同じ材料のSiCをエピタキシャル成長させる技術です。この技術により、基板(ウエハー)とエピ層が同じ材料であるため、ディバイスの性能を向上させることができます。デバイスの性能が大幅に向上します。 特に、高電圧や高温度で動作するパワーデバイスの製造に適しています。これにより、デバイスの耐久性が向上し、効率が高くなります。

 

②GaN/SiCについて:

GaN/SiCは、炭化ケイ素(SiC)の基板上に、窒化ガリウム(GaN)をエピタキシャル成長させる加工技術です。この技術は特に、高周波数および高電力のアプリケーションに適しています。SiC基板(ウエハー)は、高い熱伝導率と優れた電気的特性を持ち、GaN層の成長に理想的な環境を提供します。この組み合わせにより、デバイスは高い電力密度と効率を実現し、RF(無線周波数)アンプ、電力変換デバイス、LEDなどの高性能アプリケーションで広く使用されます。